硅芯的击穿方式

国内电气设计的都是高压击穿，低压运行，国外的电气有的是低压击穿，也很方便。7楼所说的利用氮气等离子高压击穿我不明白，利用氮气击穿，硅芯不就氮化了吗？更何况炉内打压前一般都是氢气置换过的，不知你所说的技术怎么理解？可否详细解释一下？

新光就是等离子击穿的，跟其它不一样

本帖最后由 什么是缘 于 2009-7-10 13:06 编辑
击穿的目的就是使硅芯电阻下降，产生热能，利于硅从其他化合物上，通过还原或分解的形式更好的生长在硅芯上。在击穿形式上，主要分高压与低压击穿。
     高压击穿：根据硅芯的粗细、长短而定，一般工作电压在10000—20000伏特之间；
     低压击穿：主要是通过各种形式的辅助加热后，使硅芯体从冷态的近乎绝缘体变化成为相对阻值较低的电阻，当硅芯体内外温度上升到一个预定值后，再采用低压击穿，使之硅芯体处于一种带有阻值的导通体，以便于纯硅更好的生长在硅芯体上。低压击穿一般的工作电压范围在2000—6000伏特之间，用这么低的电压，主要原因还是因为辅助加热后，能给硅芯体提供了一个温度补偿降阻的关系。也有个别企业的应用超出了这个范围，但，一般采用辅助加热后，再次通过击穿硅芯体的工艺，我们都可以泛指为低压击穿。
     加热形式：现在的加热方式可谓是多种多样，常规加热有以下几种形式：
     1、电阻加热，但是耗能高，现在很多企业已再逐步淘汰次形式；
     2、等离子体加热，是现在很流行的一种加热方式；
     3、微波加热，或叫变频微波加热，是一种新的加热形式；
     4、激光加热，应该说是未来的一种带研究的加热方式，现阶段虽然在很多领域的应用中，有相当好的效果，但是，也因为能耗的消耗很高且前期的资本投入及运行成本过高的缘故，还只能在一些前沿科学或研究中应用，而不能在常规企业中普及。
     击穿形式的选者主要是根据各自的技术工艺与应用习惯来决定的，相互之间各有利弊，也不存在哪种更为先进或费劲、复杂之说。
     其实，加热的形式还有很多种，由于时间关系，我只能简单介绍几种供大家参考。

说的比较详细，长了见识，谢谢！

我们公司利用卤素灯加热击穿。

学习一下，就要用到喽

学习了，谢谢各位的分享

硅芯预热方式要根据反应釜的设计要求而定，不要盲目崇尚这个或那个启动，否则出了事故悔之晚矣！