请问用硅烷气制非晶硅电池需要多高的纯度

发表于 2009-8-1 13:47:57

请问用硅烷气制非晶硅电池需要多高的纯度

发表于 2009-8-1 15:12:05

非晶硅电池？？那个纯度要求不太高吧

发表于 2009-8-1 16:19:38

谢谢，请问是否有具体数据

发表于 2009-8-3 13:12:29

在相同氢稀释硅烷浓度和相同的其它沉积参数情况下，在电池和玻璃上本征材料晶化程度不同，微结构有差别。硅烷浓度SC=8％-2％区间采用提高氢稀释硅烷浓度的方法沉积非晶硅，可使材料的有序度提高.本征层材料硅烷浓度SC=6％的电池在沉积时随着衬底温度的增高，电池的开路电压逐渐减小；电池的填充因子随着本征层压力的增大也呈现上升趋势，开路电压随着沉积压力的增大又逐渐降低。

发表于 2009-8-4 08:20:35

谢谢你的回复

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