多晶硅的沉积机理

为什么多晶硅沉积在发热的硅芯上，而不是沉积在其他地方

这个...............整个过程太复杂了，LZ想了解详细机理还是去查相关资料吧...........
简单地说，因为棒表面的温度适合发生还原反应并让硅原子长成多晶
实际上炉筒也是会沉积的，但是量比较少，这是因为温度低，并且也只能长成非晶硅

建议去看看CVD法的基本知识。

最关键的是原子在一个高温集结区，电压击穿后有较强的吸附作用！

其他地方不具备反应条件，比如说温度

最关键的是原子在一个高温集结区，电压击穿后有较强的吸附作用！
hroye 发表于 2009-8-21 19:47

                                
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不可能的，1100度时的能量远不足以让Si—Cl键解离，这个肯定不是主导因素

不可能的，1100度时的能量远不足以让，这个肯定不是主导因素
Minos 发表于 2009-8-22 01:15

                                
登录/注册后可看大图我个人认为Si—Cl键解离可能不需要1100°C，但是沉积的原理也不是电压吸附，个人观点希望大家积极参与。