电子迁移率和空穴迁移率大小？

发表于 2009-9-26 11:28:28

谁能说一下电子和空穴的迁移率，怎么计算？

发表于 2009-9-26 23:34:21

同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴；一般来说P型半导体的迁移率是N型半导体的1/3到1/2.。
计算方法不知道有不，这个应该是测试出来的

发表于 2009-9-27 07:22:00

可以计算的，但是是理论上根据其具体结构而得出的，与温度，压力，组分，参杂等相关。现在材料学就有些理论科目其中研究半导体就有根据结构计算它的物理性质。但是现实中一般就只是测量。

发表于 2009-9-27 07:23:44

可以与计算数据做比较，但是由于温度压力等参数的变化，还是需要测量

发表于 2009-9-27 09:23:19

好像是用方法测量的，我在看《硅材料检测技术》的书，这本书中有比较详细的描述，建议可以看一看，但是我不是学这个的，看起来有点费劲，呵呵

发表于 2009-10-12 12:56:51

谢谢各位，

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