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为什么多晶硅表面出现粗糙

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发表于 2009-10-23 10:56:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
1:硅棒发热体温度过高,沉积速度过快
   2:硅棒裂纹(突然停电;停炉冷却速度过快)
   3:硅棒气孔(硅棒温度偏高造成局部融化)
   4有氧化夹层,氧化物被气化
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发表于 2009-10-28 08:59:19 | 显示全部楼层
这已经是结论了是不是?我再请教一下吧,请您解答一下我的疑惑。
1、为什么温度高沉积快就能导致表面粗糙呢?现在我们还想沉积快一点呢,那样可以提效率,如果按照你的说法,那岂不是不能保证较高的温度吗?那我们的还原又应该怎么去控制?
2、裂纹和粗糙好像不一样吧?怎么可以相提并论呢?
3、有那么多的氢气在里面,应该没有那么容易氧化吧?再说如果氧化能导致表面那么粗糙的话,那还原炉岂不是早就爆炸了?
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