氮气影响多晶硅的纯度吗

现在装置的原料气不是纯净，其中含有少量氮气。请问氮气对多晶硅的纯度有多大影响？如果有影响，原料气中氮气的含量应该控制到什么范围内比较合理呢？

这个需要看在哪个单元反应了？
若温度不是很高，压力不是很大，氮气很难于其他物质发生反应的，
所以说氮气一般情况下市布影响多晶硅的纯度的

按照老外的解释会影响，要去除，n2含量几乎为零

间接影响了多晶硅的纯度，因为生成了氮化硅，直接影响了氢气的纯度

如果是还原的话，氮气存在，会生成黄色的氮化硅，影响产品质量

间接影响了多晶硅的纯度，因为生成了氮化硅，直接影响了氢气的纯度
zhangrang 发表于 2009-12-25 09:10

                                
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瞎扯，
你看下硅与氮气在什么温度反应再说吧？
这是网站上的资料，http://www.mgnet.com.cn/new_view.asp?id=2929，即使在温度比较高的还原炉反应温度又有多少℃？众所周知，氮气和硅反应时高温高压反应。
在金属硅颗粒上氮化硅的形成温度较金属硅的熔融温度低（＜1410℃＝、氮化硅量也少，但因为有少量铁、硅酸盐和其它低熔点物质加速了氮化硅的合成。第二阶段（1410~1500℃），氮气在熔融金属硅中完全溶解同时氮化硅晶体的数量增加。在反应过程中产生22%的体积膨胀堵塞了气孔从而限制了氮气向半成品中的进一步扩散。在1350~1370℃合成的氮化硅具有更加均匀的结构和相组成

氮含量（回收氢气）指标控制在1500ppm以下，具体的数据要根据产品品质生成情况和产量做相应的调整

氮化硅的形成在还原炉内只要800度以上就行。