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多晶硅如何长成N型

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发表于 2009-12-23 20:05:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
刚刚进入多晶硅行业,经验很欠缺。现在想问这样一个问题,在多晶硅生长的过程中,如何控制操作参数才能使其长成N型?比如,温度、压力、配比等,有一些经验数值可以参考吗?
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发表于 2009-12-24 11:16:58 | 显示全部楼层
要看物料成分,一般工艺设计时已经决定了,很难改变。
LZ为什么一定要生长N型呢?以后掺杂不就可以了吗?何必这样麻烦
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发表于 2009-12-24 11:42:18 | 显示全部楼层
电池片后期制作的过程中,参入杂质(俗称参杂),就可以做成N型或者P型!
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发表于 2009-12-24 14:23:30 | 显示全部楼层
这个型号是根据精馏出来的TCS中B\P含量的比例来调的 可以控制
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发表于 2009-12-27 13:35:55 | 显示全部楼层
多晶硅中的五族元素总量大于三族元素总量就是N型。
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发表于 2009-12-27 21:03:27 | 显示全部楼层
是电子导电就是N型!
不过个人觉得实践和理论还是有很大差别的!
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