关于四氯化硅的冷氢化

我想问个问题，在冷氢化或者氯氢化工艺中：
1、为什么要采用这么高的压力，在低压力条件下，反应能进行吗？有没有做过这方面探索性研究的？如果，如果在低压力条件下不能进行转化，是什么原因造成的？
2、无论采用何种催化剂，催化机理是怎样的？
3、冷氢化工艺原理究竟是怎样的？反应方程式是什么样的？不要告诉我那个总反应式:loveliness:
    对于热氢化，认为SiCl4与H2在高温环境中，分子内能达到一定量克服了反应的活化能，能生成SiHCl3；冷氢化加催化剂无非是降低反应的活化能，而无需通过高温条件使分子达到很高的内能就可以断键进行各种反应。那么催化剂与反应物（Si粉、H2、STC或者有HCl）是怎么一个过程，是普通催化原理那样，吸附，反应、脱附过程吗？催化剂的活化中心又是什么？
请大家交流。

1，反应是减体积过程，加压有利于反应平衡正向移动，所以在允许的范围内，当然是应该尽量升高压力了，关于反应平衡和动力学的计算，早就有过了，在这种压力下，平衡转化率都不到40%，如果是低压，更是低得可怜
2，催化机理没有研究成果，事实上很多气固催化反应机理都没有确切的研究结果，你要是研究出来了，你可以发个影响因子在5以上的SCI论文
3，原理不知道你指的是什么，反应是有分级的，看过文献但是记不清了，反正Si—Cl键断键是控制步骤，这一步很慢

看了，学习了，支持楼主和楼上的朋友，谢谢