急求冷氢化工艺原理及流程，改进方向

发表于 2010-3-6 00:52:01

我们厂要上氢化，旋学，希望知道的高手知道哈，叩谢了

发表于 2010-3-6 09:59:27

冷氢化原理是：
3SiCl4+Si+2H2---4SiHCl3，500度左右，几十个大气压
有些冷氢化在上述基础上做了改进，通入氯化氢，发生的反应为：
Si+3HCl------SiHcl3+H2
至于流程估计网上是找不到的，这在国内绝对是涉密的

发表于 2010-3-6 23:01:52

冷氢化原理是：
3SiCl4+Si+2H2---4SiHCl3，500度左右，几十个大气压
有些冷氢化在上述基础上做了改进，通入氯化氢，发生的反应为：
Si+3HCl------SiHcl3+H2
至于流程估计网上是找不到的，这在国内绝对是涉密的
robinluo20 发表于 2010-3-6 09:59

登录/注册后可看大图
框图式的基本流程，REC早期的专利就公开了，去下载专利看看就行，不过也只是个最基础的玩意

发表于 2010-3-6 09:59:00

硅粉下料，STC和H2加压加热达到要求后通入到流化床反应，混合气经过除尘，冷冻、粗馏，TCS送到精馏工序

发表于 2010-3-11 10:50:04

流程其实就那么简单，纯化工

账号		自动登录	找回密码
密码			立即注册