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还原炉中HCL含量对多晶硅沉积的影响

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发表于 2010-6-26 19:48:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位大侠,还原炉中HCL含量对多晶硅沉积速率有影响吗?
    如果有影响,HCL含量应该控制在多少?
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发表于 2010-6-26 20:17:43 | 显示全部楼层
当然有影响,我们控制在10ppm以下
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发表于 2010-6-27 11:56:31 | 显示全部楼层
回复 2# zhangweicheng
    说说怎么影响的吧:loveliness:
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发表于 2010-6-27 14:42:22 | 显示全部楼层
TO:zhangweicheng
当然有影响,我们控制在10ppm以下
还原炉中HCL能控制在10ppm?这个实际能做到?那你的尾气中就基本上没有HCL?烦请解释下,呵呵
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发表于 2010-6-28 09:09:22 | 显示全部楼层
二楼说的应该是精制三氯氢硅中HCl含量。
对于楼主的问题。还原炉中HCl含量过高则炉内三氯氢硅浓度过低,反应速率及边界层传质速率都应该降低,整体上都会影响反应速率。具体控制在多少不好说,因为反应过程也会产生HCl,尽量控制原料中HCl含量以及控制副反应的发生就可以了
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