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多晶硅本体内金属杂质含量较高对电阻率影响

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发表于 2008-12-3 20:03:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
多晶硅本体内金属杂质含量高、低对电阻率影响,希望探讨
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发表于 2010-9-3 12:13:39 | 显示全部楼层
金属杂质的导电性比硅要强,所以电阻率会升高。
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发表于 2010-9-3 15:38:00 | 显示全部楼层
https://bbs.hcbbs.com/thread-306039-1-1.html
可以参考一下这个
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发表于 2010-9-5 13:42:03 | 显示全部楼层
回复 2# peterwang2010
    别误导大家哈!在硅晶体中,杂质一般是作为载流子的施主跟受主存在的,一般是金属杂质越多电阻越低。
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