多晶硅与单晶硅哪个电阻率高

发表于 2011-1-8 16:39:14

有没有人做过这样的实验，用相同的一段多晶硅料，其中一段拉成硅芯，另一段则拉成单晶，用二探针检测电阻率请问哪个更高

发表于 2011-1-8 21:31:14

单晶硅是多晶硅的深加工，现在普遍采用区融的方法或者铸锭，根据扩散理论，杂质要少的多，所以我觉得单晶硅电阻要高点

发表于 2011-1-8 23:39:43

回复 2# cjzhx123
那请问：为什么不用多晶硅做硅芯呢？这样不是更容易启炉吗？是不是因为多晶的某些物理性质不如单晶好？

发表于 2011-1-9 09:38:00

个人认为硅心一方面是作为硅沉寂的载体，另一个方面是为多晶硅的沉寂提高较合适的温度，所以需要一定的电阻，保证发热。多晶杂质较多，通电电阻较小，发热量相对较低。您觉得呢？

发表于 2011-1-9 16:09:23

参杂浓度相同，多晶硅高于单晶

发表于 2011-1-9 16:40:33

回复 3# 何後973
请问难道你们公司是用单晶做硅芯的吗？？？？？？？我们公司本来就是用多晶硅做硅芯的。

发表于 2011-1-9 22:33:14

单晶的拉制速度很慢的

发表于 2011-1-10 10:29:15

请问5楼的结论有没有依据

发表于 2011-1-11 21:04:55

就单凭多晶硅的晶面很多，俗语一种缺陷，

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