硅心横梁下部长菜花状颗粒的原因

发表于 2009-8-8 23:18:16

所以横梁都是上面长得很少而且基本是光滑的，下面长得很多而且爆米花很多很大啊...

发表于 2009-8-8 23:42:59

目前红外测温仪也不能准确的测出温度的实际值，如何有效的判断温度是否过高

发表于 2009-8-9 01:34:17

10楼，突点的温度会更高吗？我倒觉得突点可能电流不能到达，温度可能会低些呀

发表于 2009-8-10 19:54:48

10楼，突点的温度会更高吗？我倒觉得突点可能电流不能到达，温度可能会低些呀
jiangkunrong1 发表于 2009-8-10 19:54

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突出的部位温度是会高的，这个是物理学上提到的...电流不是什么宏观物质，不能那样来理解

发表于 2009-8-10 23:22:39

我觉得温度高的话，不是导致沉积不均匀，而是导致了晶格形成上的缺陷，随着沉积的不断进行便从宏观上得到了表现，最终让我们看到了没规则的菜花状

发表于 2009-8-10 19:54:00

从非晶、多晶和单晶形成的过程来说，应该是温度越高越有利于生成完美的晶格的，非晶经过高温区熔处理后会变成多晶，同理也适用于多晶向单晶的转化，由此推测，应该不会是温度高造成了晶格缺陷........

发表于 2009-8-11 19:40:34

温度越高越有利于生成完美的晶格的可有理论依据呢我觉得不是这样

发表于 2009-8-12 00:26:10

只需要看一下非晶、多晶和单晶的生成条件就可以了解了，非晶是最不完美的晶体，因此所需条件是最低的，而它所需的温度也最低，多晶是较完美的晶体，条件较高，所需的温度高一些，我们现在要求温度低于1100度并不是因为温度更高后长不成多晶，而是因为温度过高发生硅的腐蚀以及熔芯等等一系列问题，事实上在起炉的时候，温度本来就在1100度以上，因为刚开始的时候棒细，不存在熔芯的问题，并且希望硅芯表面腐蚀掉一点，因为表面可能不洁净，另外在开始的时候希望沉积速率快，因此要更高温度，但是如果将你的假设，即温度高生成的晶体有缺陷放在这里，则无法正确解释起炉时将温度调高，因为如果温度高产生了有缺陷的晶体，而又是在起炉时发生，则之后长出的硅棒必然是从中心开始就具有缺陷，显然，这种结论是不正确的

发表于 2009-8-12 19:17:14

这种腐蚀怎么进行的呢？如果说是腐蚀掉一些，同时又生长更快，不也是矛盾的吗

发表于 2009-8-12 22:08:28

同意三楼的说法。应该是由于电阻造成的温度高

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