多晶硅杂质含量

听说控制反应条件可以控制多晶硅中的杂质含量，哪位师兄能指导一下，具体什么条件对杂质含量有什么影响呢？

主要对B、P有影响，各种杂质的沉积速度不一样

主要是指氢气与TCS的摩尔比，摩尔比大些的话，可以抑制B，P化合物的析出。一般摩尔比为10：1甚至更高。

多晶硅中的铁、铝酸洗可以去除，钙通过吹氧也可去除，其中的磷和硼相对稳定难以去除，一般通过造渣去除。