硅芯粗细对击穿的影响

发表于 2011-2-12 08:12:51

硅芯越粗，电阻越小，是不是多硅芯粗一点，利于击穿呢？

发表于 2011-2-12 09:59:03

本帖最后由 68LONG 于 2011-2-12 15:19 编辑
不完全是，因为硅芯粗了，也带来不利影响。

发表于 2011-2-12 10:33:24

粗的话，较难击穿

发表于 2011-2-12 15:09:29

硅心在常温下是不导电的，只有升温到一定温度后才成为半导体，通常温度300度左右。粗硅心由于较粗，在升温时相对较慢，击穿电压也相对要高一些，击穿要慢一些。使用粗硅心一个主要原因就是前期沉积速度较快，另外还可以防止倒棒。

发表于 2011-2-12 15:52:47

赞同前期沉积速度较快，击穿时间对于硅芯来说相差不明显，对意外停炉重新高压击穿时粗细差距时间比较明显

发表于 2011-2-13 10:52:16

都是高人，学习了

发表于 2011-2-15 22:29:24

学习了，我现在观察当硅芯变红时硅芯击穿

发表于 2011-2-16 23:31:47

粗硅心当然有利于初期沉积的加快，我还认为，对还原的和转化率有大大的提高，沉积的表面积加大了，发热量也大了！粗硅心和细硅心在击穿上时间相差不是很大的。
倒是粗硅心在制作难度上要比细的高很多

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