多晶硅生产中四氯化硅的实际产生量

发表于 2009-7-27 13:54:00

本帖最后由 Minos 于 2009-7-27 16:16 编辑
一笑了之。。。。哈哈哈哈哈哈哈
zhouqm 发表于 2009-7-27 16:03

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呵呵，从你的言语表现，就能看出你这个人的心态，从你这个人的心态就能知道你这个人是个什么层次，我也不想跟你多说了
BTW，希望你是真心在笑，而不是在这装

发表于 2009-7-27 14:35:04

在1273K时，还原炉内部是以三氯氢硅热分解反应占主导、还原反应为次要的一个环境：在此情形下，如何界定权重多少是没有理论支撑的，所以以理论计算来推断生产真实结果是不准确的。实际上，真实生产需要调整好还原炉运 ...
zhouqm 发表于 2009-7-27 14:35

登录/注册后可看大图请问能解释一下3-5是怎么办到的呀，好像理论计算不支持，是把四氯化硅综合利用了还是通过工艺的循环就能达到？

发表于 2012-2-25 10:29:00

本帖最后由 Minos 于 2009-7-27 22:56 编辑
在1273K时，还原炉内部是以三氯氢硅热分解反应占主导、还原反应为次要的一个环境：在此情形下，如何界定权重多少是没有理论支撑的，所以以理论计算来推断生产真实结果是不准确的。实际上，真实生产需要调整好还原炉运 ...
zhouqm 发表于 2009-7-27 14:35

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不知道你所说的1273K（也就是1000度）时还原炉内以三氯氢硅热分解反应占主导这种结论是从哪里得来的
硅棒表面的温度应该控制在1080-1100度（实际是控制不了这么准确的，总体来说硅棒表面温度在1000-1150度的范围内），而气相中（在硅棒没有长到后期直径非常大之前）的，由于从硅棒表面到还原炉内壁（150度左右）存在很大的温度梯度，所以气相大部分的温度只有800-900甚至更低的温度。
俄罗斯已经有多篇文献，经过热力学计算和实验测定，表明，400-900度的范围内，才是裂解反应占主导，而当温度达到1000度之后，还原反应将在竞争中占优
还原炉内四氯化硅大量产生的原因正是由于，还原反应仅在硅棒表面发生，还原后沉积，硅棒长大，而在硅棒生长的初期，整个还原炉的绝大部分气相中，温度是低于900度的，三氯氢硅在气相中大量发生裂解，生成了四氯化硅。这是西门子法最大的缺陷，空间利用率严重不足。而当硅棒长大之后，由于比表面积的增大，反应有效空间变大，因此反应后期生成的四氯化硅量会比前期略低
正是由于西门子还原炉有这样的缺点，才发展出了流化床法（流化床法并不等于新硅烷法，流化床法也可以用氯硅烷作原料）。流化床的最大优点就是空间利用率高，沉积速度更快，四氯化硅量比西门子法小得多，另外，可以连续操作

发表于 2009-7-27 15:59:55

不知道你所说的1273K（也就是1000度）时还原炉内以三氯氢硅热分解反应占主导这种结论是从哪里得来的
硅棒表面的温度应该控制在1080-1100度（实际是控制不了这么准确的，总体来说硅棒表面温度在1000-1150度的范围内 ...
Minos 发表于 2009-7-27 22:46

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你说明的这些东西是正确的，无可否认。但是你认为的1273K是什么温度？气相温度吗？怎么测呀？在你能准确读出的温度数据下再做评判！
对你的执着还是很钦佩（真实的）！另外，你们公司的还原炉在生产中后期温度控制的很高呀（仍能维持在1100度以上），请你仔细去核对
吧！四氯化硅的生成比列也就非常清楚了。

发表于 2009-7-27 14:10:00

请问能解释一下3-5是怎么办到的呀，好像理论计算不支持，是把四氯化硅综合利用了还是通过工艺的循环就能达到？
xiaoqing86 发表于 2009-7-27 19:37

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肯定是循环氢化转化为TCS

发表于 2009-7-27 16:03:26

你说明的这些东西是正确的，无可否认。但是你认为的1273K是什么温度？气相温度吗？怎么测呀？在你能准确读出的温度数据下再做评判！
对你的执着还是很钦佩（真实的）！另外，你们公司的还原炉在生产中后期温度控制 ...
zhouqm 发表于 2009-7-28 14:35

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你自己的表述有问题，1273K是你自己说的，而不是我说的，你也并没有特指是什么温度，我从你的字面仅能理解你是在说1273K下的反应
中后期的温度当然不能有1100度，我上个帖子里已经说过了，整个过程的温度范围
大约
是
1000—1150
度，到了后期温度当然要降下来，是你自己没有看清楚，麻烦你看清了再说

发表于 2009-7-27 15:59:00

不知道你所说的1273K（也就是1000度）时还原炉内以三氯氢硅热分解反应占主导这种结论是从哪里得来的
硅棒表面的温度应该控制在1080-1100度（实际是控制不了这么准确的，总体来说硅棒表面温度在1000-1150度的范围内 ...
Minos 发表于 2009-7-27 22:46

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阐述的比较详尽，真的下了功夫！但是对四氯化硅含量趋势的判断，可以再深入一些！不是你说明的情况！另外对于
1273K的问题，我们通行的设定均是以棒表面温度计，所有人都明白：无须象刚入门的人一样纠缠不休！你的阐述都是
常识了！

发表于 2009-7-27 16:11:12

阐述的比较详尽，真的下了功夫！但是对四氯化硅含量趋势的判断，可以再深入一些！不是你说明的情况！另外对于
1273K的问题，我们通行的设定均是以棒表面温度计，所有人都明白：无须象刚入门的人一样纠缠不休！你的 ...
zhouqm 发表于 2009-7-28 22:48

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如果你觉得你入行很久了，那你更应该把话说明白，而不是在这说些你自以为的“术语”，这里有很多初入行的朋友，不要误导他们

发表于 2009-7-27 16:03:00

我是初入行的小辈，希望各位前辈能说得清楚一些！谢谢各位了

发表于 2009-7-27 19:37:09

如前辈所说，如果开始的时候温度较低，那硅棒靠近中心的区域，多晶硅含量较少？而四氯化硅占的比例会大一些吗？？

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