关于三氯氢硅合成中的六氯二硅烷问题

我们是老工艺改良西门子法，除尘系统是干法加湿法除尘。最近高沸物很难控制，我们自己取样看过，高沸物质量分数在50%左右的时候，真正的沉淀的东西是非常少的，查了文献，另一部分没沉淀的高沸物主要该是六氯二硅烷，我用水和碱也做过实验，结果也支持这个说法。在网上也查过相关的六氯二硅烷的制取之类的文献，只知道六氯二硅烷的生成温度在200-500℃，在三氯氢硅合成的温度区间，但是，就三氯氢硅合成反应中，为什么会生成六氯二硅烷，以及是什么影响六氯二硅烷的生成量，并没有得到满意的答案。所以在此，想请问各位前辈、高手、同仁：
    六氯二硅烷的生成就是简单的自由基反应么？
    是反应温度还是金属杂质或是其他什么原因影响三氯氢硅合成中六氯二硅烷的生成？
    先谢谢各位，另，提前祝各位端午愉快哈！

第一次听说，没遇到过此问题，坐等高手来解答。

本帖最后由 xilihuagong 于 2014-5-29 14:17 编辑
楼主遇到这样的问题，看来还是下了不少功夫呀
（1）首先要告诉你，正如文献所说，
高沸物确实是六氯二硅烷
，更有三硅的高沸物，沸点就更高了，这类高沸物分子式统一为：
Si2HnCL6-n、Si3HnCl8-n
，不知道楼主是怎么分析出来这些高沸物，我是专门做了GC-MS定性分析出来确认过的。
（2）再说反应机理，我觉得这不属于化工范畴了，属于化学范围了，呵呵，所以对于具体反应机理我也不太清楚，
但是从分子式来看，很明显是两个或者三个TCS聚合成的高沸物
，况且你查了生产温度在200—500℃，那么TCS合成反应温度也在这个区间，是有可能反应出来这个高沸物的。
（3）到底什么影响六氯二硅烷的生成呢？？
毫无疑问，金属硅中的金属杂质！！
部分金属杂质作为催化剂，甚至是某些金属杂质的存在影响了流化床的反应流动性，造成高沸物含量偏高！！具体什么金属杂质？控制多少ppm？嘿嘿，不方便网上说！！

                  学习了！