XNHHSDGM 发表于 2008-12-13 08:44:26

测多晶硅表面金属时用HF和HNO3溶解的时间问题

一般测多晶硅表面金属时要用HF、HNO3的混合液消解多晶硅块表面的一层用ICP-MS检测金属杂质，想问一下消解到什么程度？大概多长时间？

hezia 发表于 2008-12-13 17:09:06

这个是有国家标准的。但是不是测定表面的金属杂质的，因为溶解以后测定就是整个多晶硅中的金属杂质了。
测定表面的杂质可能要用GDMS或SIMS了。

zhufeng2 发表于 2008-12-15 09:01:18

一般情况下HF和HNO3腐蚀1分钟，配比浓度把握好

feiquan9295 发表于 2009-3-4 09:40:14

在这个点上我们ABB的在线近红外有很好的应用，用这个仪表可以快速检测两种酸的比例，好正确的确定酸的加入量和时间，在半导体行业我们的应用比较做。
[ 本帖最后由 LHY8771 于 2009-3-4 14:50 编辑 ]
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