大化工论坛 › 多晶硅新能源 › 多晶硅生产中SiHCL3合成工段的问题

hanshan 发表于 2009-1-19 16:25:55

堵塞冷却器的主要还是三氯化铝，大家可以查一下它的特性，解决的方法目前听说有使用湿法除尘的，我认为目前最好的方法就是控制硅粉中铝的含量，同时对预冷器多做几个以备用

易安中国 发表于 2009-2-3 16:06:59

主是二氧化硅的堵塞

feibiao101 发表于 2009-2-10 11:56:18

原帖由 hanshan 于 2009-1-19 16:25 发表
                              
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堵塞冷却器的主要还是三氯化铝，大家可以查一下它的特性，解决的方法目前听说有使用湿法除尘的，我认为目前最好的方法就是控制硅粉中铝的含量，同时对预冷器多做几个以备用
湿法除尘能具体讲讲吗？

wqing123456 发表于 2009-4-14 12:10:15

这个在现实生产中是 很难排除的，不过这样也 有一定的好处，一些金属高氯化物在管道中乘积过后从而减少了精馏工段精馏塔的负荷，而造成管道堵塞的主要是硅烷水解物二氧化硅，还有就是气流所带走的一部分硅粉粉尘，像我们现在的工艺为了减少金属高氯化物而专门曾加了管道的长度，如果你们想减少管道堵塞，可以对管道进行保温

liuxiling0809 发表于 2009-4-14 20:32:23

这种情况在一般的SiHCL3合成厂家出现的情况不是很多，大多数在于的多晶硅厂SiHCL3合成中出现。国内现在多晶硅生产已经投产的几家企业都是相似问题，SiHCL3基本不能自给，需要外购，导致现在国内许多氯碱行业的公司涉足SiHCL3合成
本人觉得主要还是在于设计的操作压力不同，并且进料量也比较大，硅粉的一次进料量差不多是1T
具体数据不详细列举，欢迎多探讨一下！

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