大化工论坛 › 多晶硅新能源 › 硅芯的击穿方式

waitmebt 发表于 2009-4-17 22:35:32

硅芯的击穿方式

大家都说说硅芯的击穿方式

wulffor 发表于 2009-4-18 10:26:44

高压击穿呀
分几相击穿

kuristying-1 发表于 2009-4-18 23:02:21

3相，我们公司是升压14kv击穿，在倒回低压
换档操作

南希 发表于 2009-4-19 13:57:50

也有低压击穿

songgaojie_610 发表于 2009-4-19 22:20:26

低压击穿，一般是什么情况下发生呢！？

xuzhengwei 发表于 2009-4-20 10:53:06

有用等离子技术加热后 用6000V打压

爱在深秋1 发表于 2009-4-20 13:29:13

还原炉硅芯击穿主要有：1.采用等离子高压击穿（利用氮气）2.利用卤素灯加热击穿。3.采用石墨加热棒加热击穿（配合1.2完成）

ercihanshu 发表于 2009-6-30 21:36:32

就国内多晶硅公司硅芯击穿方式，大部分采用高压击穿方式，这样做省时，对多晶硅质量没有影响，清洁，其他外加热方法多多少少会影响产品质量，要么费事，还原炉温度越高，打压时所用电压就越小

伊甸园 发表于 2009-7-2 15:16:31

有些反应炉采用外加热器加热，加热到一定温度500左右，低压（小于2000V）击穿，但比较费事。

chengerqing2272 发表于 2009-7-2 20:48:58

我们公司采取的是高压击穿，很快，相对简单可行！！

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