关于碳元素在多晶硅棒中的扩散机理
硅棒底部固定在石墨电极上，在沉积过程中，碳元素会扩散到硅棒中，而且随着温度的增加，碳元素在硅棒中的扩散能力变强，使硅棒下面的部分碳浓度变大，请问各位是否了解碳元素在硅材料中的扩散机理，以及有什么手段能够有效地抑制碳元素的扩散在多晶硅和单晶硅炉中，由于通常采用石墨加热件和碳毡保温体，因此在高温下会有碳蒸汽的挥发进入到硅中，也会增加硅中的碳含量。
因此我觉得要保证完全不出现扩散是不可能的，但是可以从源头把握石墨电极的质量是有效减少碳扩散的。 学习了，但是无机碳对棒质量影响远远小于有机碳吧。 学习了，但是无机碳对棒质量影响远远小于有机碳吧。
zhangwh 发表于 2009-8-18 09:10
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这个要看碳原子在硅棒中是以什么形态结合的 在多晶硅和单晶硅炉中，由于通常采用石墨加热件和碳毡保温体，因此在高温下会有碳蒸汽的挥发进入到硅中，也会增加硅中的碳含量。
因此我觉得要保证完全不出现扩散是不可能的，但是可以从源头把握石墨电极的质量 ...
zjiris 发表于 2009-8-18 08:39
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那能否讨论一下怎么把我石墨质量呢 学习了，但是无机碳对棒质量影响远远小于有机碳吧。
zhangwh 发表于 2009-8-18 09:10
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通常，在直拉单晶和多晶硅铸锭的时候，碳自身时很难形成沉淀的，也很难与氧生成氧沉淀或碳氧复合体。但是，如果在从高温到低温又向高温进行退火处理的时候，则硅中的碳浓度和氧浓度同时发生变化，因此，有专家推测在退火过程中，碳氧将发生复合，或促进氧沉淀的生成，因为碳原子往往能够成为氧沉淀的核心，形成原生氧沉淀。但这种沉淀是不稳定的，在高温下，又会溶解，导碳氧浓度又上升。
虽然有理论认为碳原子因原子半径小，容易造成晶格畸变，造成氧原子在附近偏聚而形成氧沉淀的异质核心，从而对材料产生正面的影响。但如果碳过多的话，将会与硅反应，产生一定数量的碳化硅，碳化硅沉淀导致晶格位错，形成深能级载流子复合中心，从而影响少子寿命。这个负面影响可能要比碳原子单质的正面影响要大得多。
同时由于还原生产的高温，我觉得有机碳在还原时也变成了无机碳沉积在硅棒上，对后工序影响一样的。但是，对还原反应的影响应该不一样吧
那能否讨论一下怎么把我石墨质量呢
Minos 发表于 2009-8-18 09:18
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石墨质量主要控制含水量和挥发量，因此最好对外购石墨进行煅烧，并放在烘箱保存
最开始未控制时，我们就遇见过石墨件在在开炉后明显小了一号，特别是夹头部位 呃.....我们的确是进行煅烧并且放在烘箱保存的，但是效果看起来似乎还是不怎么理想啊.....对这个材质本身能否有什么改进呢 这个就只有选择好的供货商了，石墨质量差异也比较大的
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