为什么多晶硅表面出现粗糙
1：硅棒发热体温度过高，沉积速度过快2：硅棒裂纹（突然停电；停炉冷却速度过快）
3：硅棒气孔（硅棒温度偏高造成局部融化）
4有氧化夹层，氧化物被气化
这已经是结论了是不是？我再请教一下吧，请您解答一下我的疑惑。
1、为什么温度高沉积快就能导致表面粗糙呢？现在我们还想沉积快一点呢，那样可以提效率，如果按照你的说法，那岂不是不能保证较高的温度吗？那我们的还原又应该怎么去控制？
2、裂纹和粗糙好像不一样吧？怎么可以相提并论呢？
3、有那么多的氢气在里面，应该没有那么容易氧化吧？再说如果氧化能导致表面那么粗糙的话，那还原炉岂不是早就爆炸了？
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