在多晶硅生产中硅棒出现的氧化夹层和温度夹层
硅棒生产中的氧化夹层和温度夹层的定义是什么？在生产中如何避免温度夹层和氧化夹层呢？还请大家来讨论~~static/image/smiley/default/handshake.gif
氧化夹层就是SiO2，温度夹层就是无定型硅
夹层不止这两种~氮化夹层，碳化夹层~镜状硅等等很多的
只是产生条件不一样
你问那两种的解决放法
温度夹层就是生长时候把温度控制恒定就行了，如果温度低了需要提升温度要缓慢均匀的提，不要骤提
氧化夹层就是启炉前的置换要彻底，且严格控制氢气等进料质量 温度夹层只要注意在生产过程中避免温度急剧变化就行了，低温状态下容易生成无定型硅，还有就是物料配比，三氯氢硅不能过高，过高也会引起生成的硅无法充分沉积在硅棒上，会沉积于温度比较低的炉壁或者地盘上。氧化夹层在开炉时候要注意置换，反应的物料清洁，还有就是在系统出现异常时候的处理中不能带入N或者空气，最后在开炉前的吹扫时也要注意温度偏高时N的带入。
请教楼上碳化夹层的出现条件，镜状硅呢？ 镜状的，那是局部温度过高了，硅出现熔化再结晶，实际上已经接近单晶晶态了
碳化的，那是原料气体纯度不够造成的吧，氢气里含碳了
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