wanhongfei 发表于 2010-6-26 19:48:08

还原炉中HCL含量对多晶硅沉积的影响

各位大侠，还原炉中HCL含量对多晶硅沉积速率有影响吗？
    如果有影响，HCL含量应该控制在多少？

zhangweicheng 发表于 2010-6-26 20:17:43

当然有影响，我们控制在10ppm以下

jesscy 发表于 2010-6-27 11:56:31

回复 2# zhangweicheng
    说说怎么影响的吧:loveliness:

zengpengke 发表于 2010-6-27 14:42:22

TO：zhangweicheng
当然有影响，我们控制在10ppm以下
还原炉中HCL能控制在10ppm？这个实际能做到？那你的尾气中就基本上没有HCL？烦请解释下，呵呵

maxwell_112 发表于 2010-6-28 09:09:22

二楼说的应该是精制三氯氢硅中HCl含量。
对于楼主的问题。还原炉中HCl含量过高则炉内三氯氢硅浓度过低，反应速率及边界层传质速率都应该降低，整体上都会影响反应速率。具体控制在多少不好说，因为反应过程也会产生HCl，尽量控制原料中HCl含量以及控制副反应的发生就可以了
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