边看边学 发表于 2010-7-7 16:39:51

多晶硅磷硼分析

多晶硅磷硼分析手段我们有磷硼检炉拉单晶分析及用ICP-MS分析，基本上认为磷硼检炉拉单晶分析更准确，两种分析手段误差情况怎么样，大家讨论下！！

piaowu0335 发表于 2010-7-7 22:25:00

两个是不同的标准的说法吧，一个是杂质含量，一个是电阻率，有些人说两者能有联系，但是不是非常准确的换算，所以在规定上是不同的等级划分，化学检测容易些但是检测方法有待商榷，物理检测简单些但*标规定的区容法取样和拉制比较讲究，很难成型吧。我见到的都不成功的很失望的例子。

吉人赤子 发表于 2010-7-8 08:42:37

拉单晶更为准确一点

花落落 发表于 2010-8-6 23:39:49

拉单晶还是准确一些。ICP-MS分析检测限只能达到ppt，误差较大。制样要求太高。可以留下联系方式，共同探讨一下多晶硅成品检测

trifle 发表于 2010-8-11 11:22:35

ICP-MS在最近国标上是测多晶硅表面金属杂质含量，如何能精确测量多晶硅基体内B\P?
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