zhouqm 发表于 2008-12-3 20:03:15

多晶硅本体内金属杂质含量较高对电阻率影响

多晶硅本体内金属杂质含量高、低对电阻率影响，希望探讨

peterwang2010 发表于 2010-9-3 12:13:39

金属杂质的导电性比硅要强，所以电阻率会升高。

XNHHSDGM 发表于 2010-9-3 15:38:00

https://bbs.hcbbs.com/thread-306039-1-1.html
可以参考一下这个

ykhn 发表于 2010-9-5 13:42:03

回复 2# peterwang2010
    别误导大家哈！在硅晶体中，杂质一般是作为载流子的施主跟受主存在的，一般是金属杂质越多电阻越低。
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