Minos 发表于 2010-3-19 09:09:26

呵呵，我一直在想，在冶金硅工艺里，能不能引入一种类似于“膜分离”或者“反渗透”的方法，让其中的硼和磷分别富集在液态硅中，直接制成一边仅含硼的液态硅，另一边仅含磷的液态硅...呵呵，只不过满足条件的“膜”似乎很难做

piaowu0335 发表于 2010-3-19 13:55:29

“除得多，掺得少，而且掺的范围不同，有的要掺磷，有的要掺硼 ”根据应用的不同行业不同用途。
以前也有这样的疑问，那是因为对下游产业不咋了解。

lishenfeng05 发表于 2010-3-19 16:23:25

在提纯单质硅的时候如果预留杂质，杂质则与硅在不同的环境条件下反应生成不同的化合物，这些化合物对单质硅的影响，将在使用单质硅进行其它产品进行设计时因为硅中的杂质化合物而严重影响使用性能。甚至导致无法使用！

告别戈多 发表于 2010-3-19 20:21:34

呵呵，我一直在想，在冶金硅工艺里，能不能引入一种类似于“膜分离”或者“反渗透”的方法，让其中的硼和磷分别富集在液态硅中，直接制成一边仅含硼的液态硅，另一边仅含磷的液态硅...呵呵，只不过满足条件的“膜”似 ...
Minos 发表于 2010-3-19 09:09

                              
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确实是这样，几乎不大可能有哪种膜能耐得了这样高的温度，温度过高会改变膜的通透性

tongnian88 发表于 2010-3-19 09:09:00

在提炼SIHCL3的时候，B,P应可能除去，硅帮生成的掺入而且掺的范围不同，有的要掺磷，有的要掺硼

zhzw 发表于 2010-3-19 21:36:36

多晶硅生产中影响其质量的主要杂质为P和b，原料提纯过程中尽量出去。在下游产品根据客户的要求来参杂！

斑点猫 发表于 2010-3-21 18:49:18

可能是出于工艺控制方面稳定的考虑!
母体杂质浓度不能,掺杂工艺难以稳定!

Minos 发表于 2010-3-22 01:31:28

确实是这样，几乎不大可能有哪种膜能耐得了这样高的温度，温度过高会改变膜的通透性
告别戈多 发表于 2010-3-19 20:21

                              
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有机膜是不太可能了，无机膜的效率好像又很低，选择性也很低
如果真有这样的“膜”，那现在所有的物理法都会完蛋，呵呵

xsh1234567 发表于 2010-3-22 07:33:27

好像原因是这样的，不知道对不对哈：
在半导体行业里面，硅片只是作为一个载体，后续的工艺所需要的是非常干净的WAFER，然后在表面上做出电路来。至于再参杂PB，就是像各位说的，为了得到空穴或者电子。
不知对否？

maxwell_112 发表于 2010-3-19 20:21:00

精馏过程对于除去P、B还不是很成熟，硼磷的化合物形态还处于发现阶段，只能根据经验控制排高排低，尽可能除去杂质元素，这样可以避免产生混合型，反型多晶硅的出炉，并利于多晶拉制单晶的掺杂。
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