jiangkunrong1 发表于 2009-8-10 19:54
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突出的部位温度是会高的，这个是物理学上提到的...电流不是什么宏观物质，不能那样来理解 我觉得温度高的话，不是导致沉积不均匀，而是导致了晶格形成上的缺陷，随着沉积的不断进行便从宏观上得到了表现，最终让我们看到了没规则的菜花状 从非晶、多晶和单晶形成的过程来说，应该是温度越高越有利于生成完美的晶格的，非晶经过高温区熔处理后会变成多晶，同理也适用于多晶向单晶的转化，由此推测，应该不会是温度高造成了晶格缺陷........ 温度越高越有利于生成完美的晶格的可有理论依据呢 我觉得不是这样 只需要看一下非晶、多晶和单晶的生成条件就可以了解了，非晶是最不完美的晶体，因此所需条件是最低的，而它所需的温度也最低，多晶是较完美的晶体，条件较高，所需的温度高一些，我们现在要求温度低于1100度并不是因为温度更高后长不成多晶，而是因为温度过高发生硅的腐蚀以及熔芯等等一系列问题，事实上在起炉的时候，温度本来就在1100度以上，因为刚开始的时候棒细，不存在熔芯的问题，并且希望硅芯表面腐蚀掉一点，因为表面可能不洁净，另外在开始的时候希望沉积速率快，因此要更高温度，但是如果将你的假设，即温度高生成的晶体有缺陷放在这里，则无法正确解释起炉时将温度调高，因为如果温度高产生了有缺陷的晶体，而又是在起炉时发生，则之后长出的硅棒必然是从中心开始就具有缺陷，显然，这种结论是不正确的 这种腐蚀怎么进行的呢？如果说是腐蚀掉一些，同时又生长更快 ，不也是矛盾的吗 同意 三楼的说法。应该是 由于电阻造成的温度高
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