此法可在同一聚乙烯瓶中进行SiHCL3的水解和氢化物发生法测定。操作简便、快速、试剂用量少，显著地减少了沾污的可能性。方法的检测限达0.7~1.5 x 10-7%，可测下限达210-7%。 多晶质量检验
抽样范围：生产中沉积的多晶硅
被测性能：外观及断面检查型号、电阻率、氧、碳含量，重金属杂质含量
1〕：基磷电阻率和寿命：取300毫米长的多晶棒段H2气氛下区熔一次检测
次数：￠≤40毫米硅棒：全检回收料不定期抽样
检验仪器：区熔炉，回探针电阻率测试仪，小数载流子寿命测试仪
2〕基硼电阻率：从试验棒上取￠150×200 毫米，磷硼检验炉
次数：批量的20％
检验仪器： 区熔炉，回探针电阻率测试仪，
3〕氧、碳含量—从多晶硅棒上取片检测
次数：按要求抽查
检验仪器：室温红外分光光度计
4〕重金属杂质：硅芯表面金属杂质的含量，电感耦合等离子体质谱仪
次数：每年不小于45次
5〕断面腐蚀：肉眼检测几何形状和表面状况
次数：100％
〈二〉工艺技术规范
1：主要原辅材料
1〕纯SIHCL3:：Fe≤ 10ppbB≤0.03ppbp ≤ 0.1ppb Al≤10ppb
纯H2:露点 ≤ -50℃ O2≤5ppm
2〕硅芯：直径￠7-8mm
有效长度：2.800米
N型：电阻率50～250欧姆
弯曲度：≤3/1000
3〕：N2气：含N2 ≥ 99.99％，氧 ≤5PPm
露点：≤-50℃
4〕：纯水：电阻率 10≥欧姆 , Al≤ 4ppm Cu≤ 0.8ppbCa≤ 4ppb B≤ 0.3ppb
P≤ 0.5ppb
5〕石墨：光谱纯，调密质，内部结构均匀，无空洞，灰分≤ 0.01％，比电阻≤20欧姆
抗压强度≥900kg/cm2，假比重≥1.8g/Cm3
硬度45-80Kg/Cm2,加工成型后，经水浸泡，纯水煮至中性，干燥，高温煅烧后备用 个人意见：
ICP-OES:电感耦合等离子体发射光谱仪
ICP-MS :电感耦合等离子体发射质谱仪
GC-MS :电感耦合等离子体发射质谱仪-气相色谱联用分析 在多晶硅生产中,为控制产品质量,需要进行很多的分析!
在此向各位大虾些请教!
1.高纯氢的分析---包括:痕量 氮气 氧气总碳 水分等
2.多晶硅尾气: 氯化氢 氯硅烷等分析 H2论坛里有标准。。https://bbs.hcbbs.com/thread-251709-1-1.html
多晶硅尾气等待高手。。
[ 本帖最后由 rogerluojie 于 2008-10-17 21:45 编辑 ] 大家好！希望大家能讨论下多晶硅在线分析比较实验室的好处，怎么样在线分析，检测哪个点的哪个气体参数比较重要。希望各位前辈不吝赐教啊！ 我们是做TELEDYNE 在线分析仪表的,多晶硅中分析测点如下:
PSA制高纯氢中测量点:
痕量氮0-5PPM TELEDYNE 2120
痕量氧0-3PPM TELEDYNE 3020T
总碳 0-5PPM TELEDYNE 4020 吹扫防暴
水份 0-1000PPMTELEDYNE5020
SIH4 0-1%或0-30%TELEDYNE7320
HCL 量程请告知 用TELEDYNE 6000系列
如果还有什么需要 可以联系我15921149551 还原尾气中C.N含量，以及三氯氢硅和四氯化硅含量，置换后氢气中碳和氧的含量，大致就分析这么多 如提，西门子改良法生产多晶硅有那些分析仪表？分析仪表使用的多少和多晶硅的纯度应该有很密切的关系 你们的这个问题 很是外行哟。 通常你们应该问题是先确定是在线分析还是离线分析。
在线分析通常有PH 、电导、溶解氧、 水分、也可以用色谱和酸浓度（这两个成本高技术难度大）。
离线分析就多了除了在线的还有很多有机、无机分析的和物理分析的，以及为这些分析服务的配套总计应该在600-1000项的采购量（根据工艺要求和工厂配置来确定）。
哈哈 是不是很多呀！
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