lojie 发表于 2011-4-12 08:34:09

有熟悉硅烷法生产多晶硅的达人，请指点一下

想了解硅烷法生产多晶硅的方法，及优势，危险性和污染性。请专家给予指点。谢谢

玉文elf 发表于 2011-4-13 14:59:34

棒状硅温度700~800℃，但沉积速度慢，流化床法成本低，速度快，但是有硅颗粒吸氢问题，带来安全隐患

纳兰春天 发表于 2011-4-17 12:05:55

SAH+STF=SIH4+SAF
weixian :guiwan rongyi baozha
wuran   
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METOL wuran daqi

ysz04024 发表于 2011-5-5 16:42:20

你所说的硅烷法是指UCC还是MEMC的，现在传统的西门子法生产多晶硅其实能转型到UCC硅烷法的，中间原料TCS及副产的STC氢化部分是一样。至于你说的硅烷法的安全性问题，其实国内就有很多小厂生产硅烷气，一般规模多在年产几十吨，是硅镁法的技术，他们也做的很好，没有什么安全事故。其实现在的难度是你能否把硅烷生产出来，生产出来的硅烷能否达到所需的纯度要求。
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