zhufeng2 发表于 2009-2-20 14:33:41

多晶硅硅芯料的掺杂

多晶硅硅芯料电阻多少需要掺杂，如何掺，用什么掺？请各位大侠指教。

HLJ 发表于 2009-2-21 08:21:50

因为现在电池片都是P型的，但是多晶出来要求N型合格，因此需要参杂，一般掺硼，至于掺多少就要看电池片的要求以及多晶硅的纯度了

CETC48 发表于 2009-2-26 08:58:30

掺杂属于不厚道的做法

xuelangpk 发表于 2009-2-26 11:48:44

一般硅芯电阻高了不容易击穿才参杂，参杂可以降低电阻率，但是会影响质量

南希 发表于 2009-2-27 14:39:57

三楼的怎么能这么说啊，硅芯电阻高了不容易击穿才参杂，掺杂可以降低电阻率，可以使得硅芯可以迅速加热到需要的温度才可以沉积反应啊。

zhufeng2 发表于 2009-3-3 13:59:00

同意你的说法，但电阻高到多少必须掺杂，有没有技术指标，否则硅芯击不穿无法进行沉积反应

忧郁小精灵 发表于 2009-3-4 01:04:06

掺杂在各厂都保密呢，虽说原理很简单，就是涂五氧化二磷，但是具体操作可是很重要的，能否拉出合乎要求的硅芯参杂很重要。此外，3楼兄弟懂不懂啊，什么叫做不厚道，那是拉出合格的硅芯的必备环节，呵呵，可不是向面粉里面加石灰那样哦。

rain08 发表于 2009-4-4 15:08:23

用溶液法掺杂。

toyoulv 发表于 2009-10-30 22:19:57

电阻率高的时候就掺，用五氧化二磷溶于乙醇的溶液掺。
方法：用咱们上初中时做实验用的吸管吸取溶液，顺着硅芯料（圆柱形）从上往下滑，边滑边挤出溶液，滑完一遍将料旋转一定角度，再来...

齐齐2011 发表于 2011-8-22 17:16:58

请问是沿着一条线还是一个面啊？还有一定角度大概是多少度，我想知道弄几次。
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