CDI提纯出来的氢气的纯度对还原或者氢化的影响
根据美国CDI公司的工艺包，从吸附柱出来的氢气纯度能达到99.9999%，想请大家讨论一下，如果氢气纯度偏低，对还原和氢化的影响究竟有多大？如果说对硅棒质量有影响，会带入杂质，不太赞同，因为比如还原CDI的进口尾气就直接来自还原炉，就CDI过程而言，不会带入任何外加杂质，除非管道腐蚀或者活性炭粉末，如果排出这两个因素，那么无论出口氢气纯度如何，进入还原炉，除了理论上对反应平衡分率有些许影响以外，应该不会有影响吧！当然现在的还原炉反应都是采用低反应率，多循环的办法来生产的，所以这点平衡分率影响，是不是有限了？请教！！你怎样判断氢气含量，是否有分析 哎，其实这个问题很简单，回收的氢气进入还原炉的时候，不需要那么高纯度的，还原那边本身进的气体，就很不纯的，带HCL等很多其它东西的，一般来说回去的氢气有3个9就差不多够用了的。。。。仔细想一想这个问题大家都知道了。。。HOHO 我晕啊，2楼你连这个都不知道啊？？？ 氢气在我国的化工行业又不是才用1年2年了，纯度检验肯定是有的。。。有专门的仪器 的啊。。。 要是要求纯度不高，何必用的那么复杂了，国产的变压吸附都能达到标准了。 原帖由 tenpaws 于 2009-2-26 18:45 发表
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根据美国CDI公司的工艺包，从吸附柱出来的氢气纯度能达到99.9999%，想请大家讨论一下，如果氢气纯度偏低，对还原和氢化的影响究竟有多大？如果说对硅棒质量有影响，会带入杂质，不太赞同，因为比如还原CDI的进口尾气 ...
纯度没特别高的要求，但当然越高越好，杂质的含量就必须保证！
主要是CDI引进的杂质，如金属杂质，C,N等杂质。 氢气的纯度直接影响多晶硅的纯度，要求6个9。氢气中HCL过多还会引起倒棒，高温腐蚀硅的根部以及横梁部分，其它杂质过多会反映在多晶硅产品上，因此应该严格控制氢气以及三氯氢硅的纯度。 纯度高点还是比较好，毕竟副反应会少点，不能说是因为这些东西是从还原来的，返回到还原就没有问题了，从化学平衡上来说，会拟制反应的速度。 从还原炉出来的尾气也是含有HCL的，以及其它的副产物，氢气的纯的肯定是受影响的啊。 原帖由 HLJ 于 2009-2-28 14:58 发表
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氢气的纯度直接影响多晶硅的纯度，要求6个9。氢气中HCL过多还会引起倒棒，高温腐蚀硅的根部以及横梁部分，其它杂质过多会反映在多晶硅产品上，因此应该严格控制氢气以及三氯氢硅的纯度。
氢气中HCL过多还会引起倒棒,倒是第一次听说，长见识了。不知道有没有依据或者经验?
另外，CDI应该很容易就把氢气中的HCL分离的呀？为什么氢气中HCL会过多呢？氢气中HCL含量多大算是过多？
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