硅表面氧化机理
自然状态下，硅表面会被氧化得到几十纳米厚的氧化层，尤其是硅破碎后，会露出许多悬挂键，有文献说悬挂键使得容易被氧化。想问下，如何从一个硅原子（外层有7个电子，与其他三个硅共价）氧化等到二氧化硅，岂不是需要断开Si－Si共价键？其氧化机理是怎样？最好从结构上解释下
一个氧原子对应两个氧硅键,且键没有被共用,1mol二氧化硅里有2mol氧原子,所以有4mol氧硅键.也可以用碳原子分析,一个碳原子对应四个氧硅键.
在熔融石英中，某些氧原子，成为氧桥位，与两个硅原子键合。某些氧原子没有氧桥，只和一个硅原子键合。可以认为热生长二氧化硅主要是由人以方向的多面体网络组成的。与无氧桥位相比，有氧桥的部分越大，氧化层的粘合力就越大，而且受损伤的倾向也越小。干氧氧化层的有氧桥与无氧桥的比率远大于湿氧氧化层。因此，可以认为，SiO₂与其说是原子晶体，却更近似于离子晶体。氧原子与硅原子之间的价键向离子键过渡。
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