kitewxg 发表于 2011-12-5 17:04:07

硅芯击穿后，电压变化趋势

18对棒还原炉，硅芯击穿后，各圈电压变化趋势如何？（从曲线上看，应该是先直线下降，然后小幅上升）。能解释一下原因吗？

ts0804030 发表于 2011-12-5 20:01:23

并 联 转 串 联。

zhuangjz 发表于 2011-12-5 21:41:03

2楼解释正确，控制柜这时候正在切换，功率的话，貌似不怎么变化。

dclpl 发表于 2011-12-6 09:03:22

硅芯击穿后，随着生长的进行，硅棒电阻下降，根据调功柜所带的硅棒数量来确定运行和换挡方式，一般情况下，当每台调功柜所带的硅棒数量为3对及以下时，不存在并联转串联的情况，当所带硅棒数量超过3对时，开始运行时先并联运行，当硅棒电阻下降到一定的阻值时，这时改串联运行就可满足实际运行需要了。

378432794 发表于 2011-12-6 10:44:27

只知道还原炉内硅芯一般分为三项
这三项之间是什么联系还不太清楚
不过从生产数据来看 我们这里的三项是并联形式
即使到后期 电流升到很高，电压降到很低也没看到串联的迹象
电气不是很懂 还请老师们多多指点

dclpl 发表于 2011-12-6 11:01:23

回复 6# 378432794
   给楼上解释一下， 并联并不是指的三相电源所带负载的并联，而是指每相电源中每个调功柜所带负载的并联。希望能帮助你！

飞翔的流体 发表于 2011-12-6 11:05:18

能不能麻烦楼上再讲清楚点？？

mian726 发表于 2011-12-9 20:13:23

先并联后串联功率基本不变

langdon88 发表于 2011-12-10 09:58:58

本帖最后由 langdon88 于 2011-12-10 10:00 编辑
硅是一种半导体，电阻与温度成反比关系。用高电压加在硅芯上，使其温度升高，电阻下降，电流上升，硅芯被击穿后电压下降。最后硅变成导体。   在硅芯击穿的最初阶段，需要保证其电压值，维持硅芯温度，否则温度下降后，硅芯变回半导体，会导致停车。 所以还原炉最初阶段通常都有并联模式保压，但并联分流会使每组硅芯的电流小， 所以硅芯并联时涨得慢。如果调功柜能够提供足够的功率（主要是能保证电压），直接串联模式，上大电流，节约时间，能源。（本厂调功柜如此）。      已经很清楚了吧。
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龙华夏 发表于 2011-12-10 18:15:51

电压不断下降，电流不断升高。各位你们击穿硅芯用的多少伏的电，打压电流分别是？
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