kitewxg 发表于 2009-12-3 10:01:40

多晶硅的氧化夹层和氮化

很多坛友在论坛上发照片，比如说硅棒表面有彩色条纹，有人说是氧化夹层，有人说是氮化的结果。
我想知道：（1）如何区分氧化夹层和氮化？
            （2）造成氮化的原因是什么？如何避免氮化？

feibiao101 发表于 2009-12-3 20:21:23

氧化说明有氧，氮化说明有氮，关键是置换彻底，氢气质量过关。

情合赢 发表于 2009-12-8 09:09:30

你这问题啊，还是比较有挑战性的，但是还是说说吧。
氮化有几个方面，包括过程中氮化，和停炉后氮化。
1 过程中氮化主要是还原反应中的氢气纯度不够，夹杂着氮气浓度较高，使一部分氮气发生反应。
2 停炉氮化主要是在停炉后，炉内的温度太高，没有进行氢气长时间的降温，而直接进行氮气置换降温，导致硅棒表面被氮化。
其实氧化和氮化产生的
机理是类似
的。
氮气是很稳定的，一般是不和硅反应的，但是在高温下是要反应的，有在低温（650度）下的氮化，也有高温下（900度以上）的氮化，氮化后的产物是很硬的，只有HF才能和它反应，所以我们要
尽量减少氮气置换的时间，升温进料
。

zhufeng2 发表于 2009-12-8 10:08:33

看颜色，最直观，黑色的是氮化夹层

ts0804030 发表于 2012-2-21 14:12:35


情合赢 发表于 2009-12-8 09:09

                              
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你这问题啊，还是比较有挑战性的，但是还是说说吧。
氮化有几个方面，包括过程中氮化，和停炉后氮化。
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还有在氮气氛围下启炉的，难道不怕生产氮化硅？专业生产氮化硅的温度都在1600k以上，你的生成氮化硅温度的依据来自哪？请明示，还原炉置换后炉内还含有一定量的氮气，空烧阶段岂不很易生产氮化硅，出夹层！
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