一种制备高纯度单硅烷的方法
一种制备高纯度单硅烷的方法【所属类目】:新工艺 【添加时间】:2012-11-23 10:18:46 本发明涉及制备高纯度单硅烷的方法，该方法适用于薄膜半导体器件的形成，以及各种用途（半导体技术，太阳能发电）高纯度聚-和单晶硅。该方法是用下列方式实现的。三烷氧基硅烷获得是利用氯硅烷和有机醇氢键的酯化反应或者是有机醇与粉末状硅在催化剂存在下直接作用。从醇杂质和其他一些不需要的杂质中预先纯化三烷氧基硅烷，直接进行催化歧化反应用来制备单硅烷。以四烷氧基硅烷中1-2%叔丁醇钾溶液作为催化剂使用。催化剂溶液和三烷氧基硅烷选取比例为1/10-1/20，pH值从中性到弱碱性，在温度为5-20℃和大气压下连续不断加入到反应器的底部。 气态单硅烷与有机蒸汽和金属有机杂质直接进行吸附净化，其次进行活性炭痕量吸附，再化学吸附及高纯度单硅烷缩合。本发明的结论：缩短了三烷氧基硅烷歧化反应时间，提高三烷氧基硅烷的转化率，增强了从有机杂质和金属有机化合物中净化单硅烷的深度，建立一套吸附净化单硅烷的通用体系。本发明涉及制备高纯度单硅烷的方法，该方法适用于薄膜半导体器件的形成，以及各种用途（半导体技术，太阳能发电）高纯度聚-和单晶硅。发明的方案：以在四烷氧基硅烷中碱金属的金属有机化合物溶液作为催化剂的条件下三烷氧基硅烷歧化制备高纯度单硅烷的方法，接下来在低温下利用烷氧基硅烷吸附净化单硅烷，其中碱金属的金属有机化合物作为催化剂选取叔丁醇钾，催化剂和三烷氧基硅烷溶液的pH值从中性到弱碱性，用于吸附净化的烷氧基硅烷采用三烷氧基硅烷，之后三烷氧基硅烷直接到歧化反应阶段。http://www.crstinfo.com/Detail.aspx?id=12307 呵呵呵，这个是实验室还行，大规模恐怕有问题，尤其是连续化生产
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