硅儿子 发表于 2012-5-28 01:02:28

还原炉里那些事！

诚请大家讨论下还原电耗这块能降电耗的相关理论和实际应用。
1、关于温度。
关于硅棒表面温度是还原反应的最重要因数这点应该是公认的吧，但是温度这玩意亲们是肿么测的？信仪器？信目测？信电压、电流？还是信春哥？准么？多一点，少一点，重要么？加一点电流，电压降一点，那么有没有那么一点的电功率曲线刚好有拐点？
2、关于配比和气量。
说到配比就不得不说气量。关于这点大家各自的理解是肿么样的？低配比小气量长的怪、一定要配大气量？配比和生长速率的关系到底有多大？气量大，长的快？需要更多的电功率？那电耗曲线的拐点究竟在哪？
3、关于气场分布。
当年下进下出是因为炉子很小能满足置换充分，现在都是24对、36对甚至更多对的炉子下进下出还能适用么？要么横梁长不好？要么脚长不好？要么碰壁、倒炉？要么电流波动大、闭环、裂棒？
如此大的空间肿么才能充分置换？谁有好的想法一起交流。
4、各家对硅棒表面发生的事到底是肿么理解的？STC中的硅原子进入还原炉以后到底经历了什么才乖乖的到硅棒上去的？不要说那十几个反应式、我想要的是想象力的交流，对大自然的理解。
一起来想象吧、

cju_1020 发表于 2012-7-3 21:06:42

嗯，我是新手撒。。。一点点理解：电流就是给硅加热，使接触到硅棒的物料加热到反应所需的温度，所以大部分电功其实是浪费 的，电流加到多少要算三氯氢硅还原要多少温度。。气量小分布就会不均匀，长的就越发不规则。。现在憋压制换效果确实不太好的，应该有改进的空间。。

zhoug 发表于 2012-7-4 09:45:57

我以前在还原待过，关于温度，目测是很重要的，主要是经验，但一定要与电流和配比做参考；关于配比和气量，总体趋势是增长，到后期是持平；关于气场，因为炉内压力维持在5公斤左右，只要气体滞留在炉内即可，而且炉内是下进下出，这个循环可以想象得到的；关于反应的问题，当初我那公司还原用的是TCS，反应就是在硅芯表面发生，硅单质沉积在硅芯上，宏观就是硅芯变粗了。总体来说，我们虽然摸到一些规律，但还是有误差，只能说是一个大概的规律，在生产过程中视镜有可能会模糊，这个时候再按仪器的数值肯定会有差异了，它没那么智能化，因素很多，每炉每时每刻都会有变化，这个目前还是很难用仪器在控制，作为一个生产型的公司也只能是慢慢总结规律，就是来个专家也不敢一棒子说死的。

luoye888 发表于 2012-7-4 13:04:38

1、关于温度。
你问得这个问题，不知道你是干哪一行的，怎么这么外行，哈哈，还原炉的温度检测一直是个难点，这个经验重要，电流和电压的控制是程序化的东西。
2、关于配比和气量。
不同的设备对配比和气量的要求是不一样的，Ｉ－Ｖ曲线的拐点也设备有关。
3、关于气场分布。
不同棒数的炉子，分布是不一样的，那当然流场的分布也是不一样的。

ohshiliuxing 发表于 2012-7-17 17:20:45

一点理解，总而言之降电耗耗就必须提温度，温度高了不雾化就得提配比，但是一定控制氢气量，很简单氢气大带走热量多浪费电，提温的方式加电流促进电压下降减小电阻，减小功率。。。前期就是猛体量，保证形态和不倒棒，中期要高温不雾化，后期要小配比将电流

gysmlhd 发表于 2012-7-18 08:07:30

如果把氢带走的热能再回收回来，是不是就是可以说降低能耗呢？？

紫蝶幽梦 发表于 2012-7-18 09:28:46

配比和温度非常重要                                                                            到后期就不怎么加电流了

硅儿子 发表于 2012-9-6 19:47:02


luoye888 发表于 2012-7-4 13:04

                              
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1、关于温度。
你问得这个问题，不知道你是干哪一行的，怎么这么外行，哈哈，还原炉的温度检测一直是个难点 ...
关于温度问的其实不是温度，这当然是最基础的，我都说了是公认的了。我想问的是温度与电耗的关系。温度高沉积速率快，但电功率也上去了，我想知道的是拐点在哪，这个测量太难了，偶然性太大了，想问大家有没有相关理论支持，好缩小测量范围，提高实验效率。

zwd7710615 发表于 2012-7-4 13:04:00

现在置换都要抽真空！！！二遍氮气，二遍真空，三遍氢气
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