zhangweicheng 发表于 2010-6-25 10:45:00

通过四氯化硅气化间接加热,反应过程不需要加热

xxj20003000 发表于 2010-6-26 21:24:16

请问冷氢化的主要设备材质都有那些呢,特别是阀门的材质,还有就是硅粉加料系统是以什么形式实现的啊。望各位大侠多多指教,先谢谢了

吉人赤子 发表于 2010-12-14 21:26:02

回复 3# zhangweicheng
    1.中硅是15bar,开得不算连续,一个月停检修吧,转化率20%,是比较土的工艺,连续性不是很好,催化剂消耗大,堵塞及其加料漏氢。
    2.除渣料是关键,渣料出得多料质量高,消耗就高,除渣少反之;
    3.加料系统的密封即阀门的使用及其性能是关键,此过程要密封条件恶劣:高压、高温、高腐蚀、高硬度颗粒、泄露易燃,所以重要;
    4.FBR的防腐蚀,其重要性与还原炉相提并论;
    5.除尘设计及其性能,关系成本,硅粉及催化剂的回收是成本的重要控制点;
   ...........很多.........

zhangweicheng 发表于 2010-12-15 23:44:44

回复 13# 吉人赤子
    言之有理,支持,欢迎进一步发表高见。

lierzhou 发表于 2010-12-16 00:11:52

冷氢化的能耗 做热氢化的工艺 可否?

tdd 发表于 2010-12-16 10:32:29

冷氢化目前最关键的问题就是堵塞和触媒载体参与反应。能耗总体还算不错。

lc521000 发表于 2010-12-16 10:56:12

其实热氢化同冷氢化都各有各的优点,热氢化做好了,其能耗也不是很高,其工艺、设备上比冷氢化好控制得多。但从目前国内冷热氢化运行情况分析,冷氢化成本上还是低得多,其处理四氯氢硅成本在2000左右。热氢化在5000左右。

lc521000 发表于 2010-12-18 15:04:32

从目前情况上分析,还原炉、精馏塔、及冷氢化FBR是最关键的

hbzhy1 发表于 2010-12-18 15:06:30

回复 3# zhangweicheng
全面,精辟,高手,...学习了。

zhuangjz 发表于 2010-12-19 00:14:30

冷氢化的设备主要是FBR既要耐高压(相对于多晶硅生产的其他设备而言),最高操作压力达25公斤,温度的话还不算高就300-400℃。同时要考虑到Cl的腐蚀性,Si粒对设备的磨损%%%%%
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