多晶硅铸锭炉 - 第2页 - 多晶硅新能源 - 大化工论坛

jianfen8108 发表于 2009-6-29 15:34:04

学习了，谢谢

linzi1981 发表于 2009-7-16 12:37:48

谢谢，学习了不错的介绍

yushiwei86 发表于 2010-3-18 13:18:36

我们公司也准备引进铸锭炉啊。。各种不了解啊

qinweiming 发表于 2010-4-2 22:37:37

铸锭可以免去腐蚀和清洗。直接销售

daqo001 发表于 2010-4-3 20:28:32

学习，非常感谢！

SiliconSky 发表于 2010-4-10 22:09:00

1 装料
将装有涂层的INNOCERAM陶瓷坩埚放置在热交换台（冷却板）上，放入适量的硅原料，然后安装加热设备、隔热设备和炉罩，将炉内抽真空，使炉内压力降至0.05-0.1mbar并保持真空。通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。
2 加热
利用石墨加热器给炉体加热，首先使石墨部件（包括加热器、坩埚板、热交换台等）、隔热层、硅原料等表面吸附的湿气蒸发，然后缓慢加温，使INNOCERAM陶瓷坩埚的温度达到1200-1300℃左右，该过程约需要4-5h.
3 化料
通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。逐渐增加加热功率，使INNOCERAM陶瓷坩埚内的温度达到1500℃左右，硅原料开始熔化。熔化过程中一直保持1500℃左右，直至化料结束。该过程约需要9～11h.
4 晶体生长
硅原料熔化结束后，降低加热功率，使INNOCERAM陶瓷坩埚的温度降至1420~1440℃硅熔点左右。然后INNOCERAM陶瓷坩埚逐渐向下移动，或者隔热装置逐渐上升，使得INNOCERAM陶瓷坩埚慢慢脱离加热区，与周围形成热交换；同时，冷却板通水，使熔体的温度自底部开始降低，晶体硅首先在底部形成，并呈柱状向上生长，生长过程中固液界面始终保持与水面平行，直至晶体生长完成，该过程约需要20-22h.
5 退火
晶体生长完成后，由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度，因此，晶锭中可能存在热应力，在硅片加工和电池制备过程中容易造成硅片碎裂。所以，晶体生长完成后，晶锭保持在熔点附近2-4小时，使晶锭温度均匀，以减少热应力。
6 冷却
晶锭在炉内退火后，关闭加热功率，提升隔热装置或者完全下降晶锭，炉内通入大流量氩气。使晶体温度逐渐降低至室温附近；同时，炉内气压逐渐上升，直至达到大气压，最后去除晶锭，该过程约需要10h.
对于重量为250-300kg的铸造多晶硅而言，一般晶体生长的速度约为0.1-0.2 mm/min,其晶体生长的时间约35-45h。

like2008 发表于 2010-4-19 15:37:40

谢谢，学习一下！！各位回答的非常好

lan6501808 发表于 2010-5-24 10:32:13

很好！学习学习。

前进号 发表于 2010-7-14 21:46:48

学学习了啊！！！！！！！！！！！

南征北战 发表于 2010-10-21 11:01:53

非常感谢坛友的帮助

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