硅芯拉制:掺杂量与电阻率的关系
求助 ------硅芯拉制:掺杂量与电阻率的关系根据半导体特性:参杂(仅限3、5主族)越多,电阻率越低。 首先根据料棒电阻率、类型及需要拉制硅芯电阻率大小,计算出
需要掺杂的量的大小。一般用B或P溶液进行喷涂。 同意楼上观点,涂杂时候关键是要与原有硅芯的导电类型对应,例如:N型电阻率一般会涂五氧化二磷。 掺杂目的是为了降低硅芯电阻率,加快硅芯击穿时间,以便归还原沉积反应产生,N型用五氧化二磷与乙醇溶液在硅芯表面涂层即可,至于P型目前还没找到掺杂的东东,望赐教! 如果掺B的话使用什么东东,有知道的说一下!感谢!!
飞翔的流体 发表于 2011-12-7 10:03
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掺杂目的是为了降低硅芯电阻率,加快硅芯击穿时间,以便归还原沉积反应产生,N型用五氧化二磷与乙醇溶液在硅 ...
请问您:是在拉制好的硅芯表面进行喷涂么?还是在单晶炉里面进行参杂?还有就是具体如何喷涂啊,能不能说具体点,急急急,多谢了!!
虔诚的信徒 发表于 2011-12-7 08:47
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同意楼上观点,涂杂时候关键是要与原有硅芯的导电类型对应,例如:N型电阻率一般会涂五氧化二磷。
是在拉制好的硅芯表面进行喷涂么?还是在单晶炉里面进行参杂?还有就是具体如何喷涂啊,能不能说具体点,急急急,多谢了!!
287789398 发表于 2011-12-6 17:16
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首先根据料棒电阻率、类型及需要拉制硅芯电阻率大小,计算出
需要掺杂的量的大小。一般用B或P溶液进行喷涂 ...
是在拉制好的硅芯表面进行喷涂么?还是在单晶炉里面进行参杂?还有就是具体如何喷涂啊,能不能说具体点,急急急,多谢了!!
xsl1860 发表于 2015-3-2 15:28
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是在拉制好的硅芯表面进行喷涂么?还是在单晶炉里面进行参杂?还有就是具体如何喷涂啊,能不能说具体点, ...
这个是11年的帖子了,这个方法目前应该也没有人在使用了吧,以前应该是在圆硅芯表面涂,以加快击穿时间
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